长电科技高深宽比 TSV 技术实现突破，补齐 2.5D/3D 先进封装底层短板

8月19日讯，国内封测龙头长电科技对外官宣，高深宽比 TSV（硅通孔）研发项目取得关键性进展，现已联合产业链合作伙伴顺利完成样品试制工作。

据介绍，本次自研 TSV 制备工艺瞄准 2.5D/3D 先进封装、硅基互连、多维异质异构集成等高阶应用场景。TSV 被视作三维芯片堆叠的核心底层工艺，相当于芯片垂直互联的高速通道，能够打通硅中介层上下信号通路，大幅缩短芯粒之间的传输距离，降低信号延迟与功耗，也是 AI 高算力芯片、HBM 高存力存储封装不可或缺的基础技术底座。

此次技术攻关落地，进一步夯实长电科技微系统集成平台的工艺版图。在此之前，公司自研 XDFOI 多维异构集成平台已经实现 2.5D 封装量产，可提供硅中介层、硅桥、有机再布线中介层多条技术路线。而高深宽比 TSV 样品的落地，则补齐硅中介层通孔制造这一关键环节，让长电科技具备从中介层通孔制备到多芯片堆叠封装的一站式交付能力，可为大算力 AI 芯片、存算一体产品提供更加完整灵活的系统级集成解决方案。

在当前全球先进封装赛道竞争日趋激烈的背景下，TSV 技术突破，标志着国内本土封测厂商在追赶国际头部 2.5D/3D 封装全链条能力上再进一步，为后续国产高算力芯片芯粒堆叠、HBM 配套封装的产业化推进打下工艺基础。